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Fairchild Semiconductor FQU11P06TU
| Artikelnummer: | FQU11P06TU |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Fairchild Semiconductor FQU11P06TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQU11P06TU.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 4.7A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Tc) -
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